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C0G電容與NPO電容的區(qū)別所在

文章出處:公司動(dòng)態(tài) 網(wǎng)責(zé)任編輯: 東莞市平尚電子科技有限公司 閱讀量: 發(fā)表時(shí)間:2021-10-08 08:45:51

選購貼片電容的時(shí)候都是有一定的要求和標(biāo)準(zhǔn)的。不僅要選擇品牌知名度高的,更要根據(jù)相關(guān)的參數(shù)來選擇。相關(guān)的參數(shù)是能夠有效選擇正確電容的重要參考。因?yàn)楦鶕?jù)參數(shù)可以了解到電容適宜的溫度和場所。就拿C0G電容器來說,它具有高溫度補(bǔ)償特性,適合作旁路電容和耦合電容。這是較為基本的常識(shí),在參數(shù)中都會(huì)呈現(xiàn)出來。


COG即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以大大減小LCD模塊的體積,且易于大批量生產(chǎn),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的LCD,如:手機(jī),PDA等便攜式產(chǎn)品,這種安裝方式,在IC生產(chǎn)商的推動(dòng)下,將會(huì)是今后IC與LCD的主要連接方式。 

文章配圖20

相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。


在諸多的電容中,NPO與C0G電容一樣都是屬于溫度補(bǔ)償型電容。而NPO的電容器采用的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗較穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。


C0G與NPO電容是有著本質(zhì)區(qū)別的,但是都是屬于溫度補(bǔ)償型電容,因此在選擇的時(shí)候需要分辨清楚兩者,避免混淆而導(dǎo)致選擇不當(dāng)。(選型幫助可在線咨詢

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