車(chē)載超級(jí)電容基于單片機(jī)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)測(cè)試（下）

　    2.各主要模塊的實(shí)現(xiàn)

　　本測(cè)試系統(tǒng)分別采用四塊電路板，以實(shí)現(xiàn)三大功能模塊——采集模塊、中央處理模塊和電源管理模塊。即電壓采集與初調(diào)理板、中央處理板以及電源板。下邊著重介紹電壓、電流采集模塊和中央處理模塊的實(shí)現(xiàn)。

　　2.1采集模塊的實(shí)現(xiàn)

　　采集模塊包括總線(xiàn)電流的采集、總線(xiàn)電壓的采集兩個(gè)部分，圖2即為電流采集原理圖。采用霍爾電流傳感器隔離被測(cè)系統(tǒng)，比傳統(tǒng)的基于電阻采樣的電流分壓電路精度高，安全性能好，抗干擾能力強(qiáng)。本文選用的是基于磁補(bǔ)償原理的霍爾閉環(huán)電流傳感器CSNK591，測(cè)量范圍±1200A，線(xiàn)性精度達(dá)到0.1%，總體精度達(dá)到0.5%，響應(yīng)速度小于1μs，完全滿(mǎn)足了系統(tǒng)的要求。

      采集信號(hào)經(jīng)精密電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷盒盘?hào)，再由儀用放大器放大為±5V雙極性電壓信號(hào)。系統(tǒng)選用AD620BR儀用放大芯片，該芯片在增益較低時(shí)具有較大的共模抑制比(G=10時(shí)，共模抑制比最小為100dB)，能較強(qiáng)地抑制由于溫度、電磁噪聲等因素引起的共模干擾。放大信號(hào)通過(guò)OP27GS芯片抬升至0～10V單極性信號(hào)，經(jīng)過(guò)射極跟隨器送至變送器XTR110KU，轉(zhuǎn)為4mA～20mA的電流信號(hào)送到中央處理模塊。之所以將采集信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)?mA～20mA電流信號(hào)，是考慮到與工業(yè)接口標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一，并且采用電流傳輸抗干擾能力強(qiáng)。

圖2 電流采集模塊原理圖

       總線(xiàn)電壓的采集同樣選用基于磁補(bǔ)償原理的閉環(huán)霍爾電壓傳感器VSM025A，實(shí)現(xiàn)原理與電流采集相同。

　　2.2中央處理模塊實(shí)現(xiàn)

　　中央處理模塊是測(cè)試系統(tǒng)的核心部分，包括MCU和AD單元、模擬信號(hào)二次調(diào)理單元、故障輸出單元和CAN接口單元等，如圖3所示?！?/span>

圖3 電壓信號(hào)調(diào)理支路

   　采集模塊輸入的4mA～20mA電流信號(hào)首先經(jīng)過(guò)模擬信號(hào)二次調(diào)理單元，進(jìn)行信號(hào)的變送、隔離、濾波和放大。模擬信號(hào)的隔離方式很多，常用的方法為隔離放大器、線(xiàn)性光耦以及電壓頻率轉(zhuǎn)化，其中隔離放大器和線(xiàn)性光耦隔離電壓高，抗干擾能力強(qiáng)，線(xiàn)性度高，但線(xiàn)性光耦隔離線(xiàn)路復(fù)雜，需要調(diào)整的參數(shù)較多，并且當(dāng)輸入電壓比較小時(shí)，線(xiàn)性度較差。本文選用的是高精度ISO124U隔離運(yùn)算放大器完成輸入模擬信號(hào)的隔離，隔離后的信號(hào)經(jīng)5階Butterworth低通濾波MAX280電路過(guò)濾高頻干擾，隨后通過(guò)一射極跟隨器送出。

　　二次調(diào)理后的采集信號(hào)，經(jīng)過(guò)12位高速AD7891送至MCU。MCU對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并將數(shù)據(jù)通過(guò)CAN接口傳送到上位機(jī)。單片機(jī)選用STC系列8位高速單片機(jī)STC89C58RD+。該單片機(jī)具有強(qiáng)抗干擾性，4kV快速脈沖干擾(EFT)和高抗靜電(ESD)，可通過(guò)6000V靜電，很好地滿(mǎn)足了超級(jí)電容高電壓大電流的工作環(huán)境。該單片機(jī)可實(shí)現(xiàn)6時(shí)鐘模式，在本系統(tǒng)采用24M晶振情況下，單片機(jī)工作頻率可達(dá)到4MIPS，相當(dāng)于普通51系列單片機(jī)運(yùn)行速度的4倍。

　　另外，測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置3通道故障診斷輸出，能顯示欠壓、過(guò)壓、過(guò)流等狀態(tài)。測(cè)試系統(tǒng)與上位機(jī)采用抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)定性好的CAN通信方式，保證測(cè)試系統(tǒng)送入上位機(jī)數(shù)據(jù)的可靠性。

　　實(shí)際系統(tǒng)有模擬±15V，數(shù)字±5V，模擬±12V供電需求，電源管理模塊在提供系統(tǒng)各部分所需電壓的同時(shí)，進(jìn)行模擬、數(shù)字電路隔離，從而避免兩類(lèi)電壓互相影響。各部分電源入口都增加了TVS保護(hù)，防止浪涌電壓對(duì)系統(tǒng)的損壞。同時(shí)在諸多電源入口處設(shè)置相應(yīng)的濾波電路，如在AD供電入口處增加了π形濾波電路，較好地消除電源信號(hào)對(duì)所供電路的干擾。

　　而且外部連線(xiàn)均采用屏蔽線(xiàn)，能較強(qiáng)地屏蔽線(xiàn)路傳輸中的電磁干擾。所有電流板使用型材鋁盒包裝，采用標(biāo)準(zhǔn)航空接頭與外界聯(lián)線(xiàn)，這樣在保護(hù)電路板的同時(shí)隔離外界磁場(chǎng)。

　　3.測(cè)試內(nèi)容

　　實(shí)驗(yàn)選定以70A和150A兩種模式對(duì)兩組串聯(lián)的超級(jí)電容組件進(jìn)行充放電測(cè)試。首先，對(duì)電容進(jìn)行恒流充電，當(dāng)總線(xiàn)電壓達(dá)到300V時(shí)，轉(zhuǎn)為恒壓充電，當(dāng)總線(xiàn)電流降低到10A時(shí)進(jìn)行70A恒流放電，如此循環(huán)測(cè)試5個(gè)周期。

　　4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果

　　圖4、圖5、圖6給出了兩種情況下的測(cè)試曲線(xiàn)對(duì)比。其中，圖4表示70A和150A兩種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試情況下，電流的變化曲線(xiàn)。圖5、圖6表示兩種情況下，電壓曲線(xiàn)特性?？梢钥闯鰞烧叩钠ヅ涑潭群芎?。電壓測(cè)試精度高于電流測(cè)試精度，這是由于一方面充放電系統(tǒng)本身電壓比電流控制精度要高，另一方面電流傳感器安置在電容箱體內(nèi)并且緊靠單體電容，電容充放電時(shí)產(chǎn)生的噪聲干擾比較嚴(yán)重。同時(shí)，霍爾電流傳感器孔徑較大，穿過(guò)電流總線(xiàn)后仍有一定空隙，在一定程度上影響了測(cè)試精度。對(duì)比各組電流曲線(xiàn)，可以看出隨著電流的增大，測(cè)試結(jié)果的相對(duì)誤差減小，但絕對(duì)誤差保持一致，不超過(guò)3A。

圖4 70A與150A充放電電流測(cè)試對(duì)比曲線(xiàn)

　　圖5 70A充放電電壓測(cè)試對(duì)比曲線(xiàn)

　　圖6 150A充放電電壓測(cè)試對(duì)比曲線(xiàn)

　　總結(jié)

　　以上就是基于單片機(jī)的車(chē)載超級(jí)電容測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)介紹了。該系統(tǒng)采用基于磁補(bǔ)償原理的霍爾閉環(huán)電流、電壓傳感器采集總線(xiàn)信號(hào)，以抗高壓脈沖干擾的STC51高速單片機(jī)進(jìn)行信號(hào)處理，并采用儀用放大、電流傳輸、模擬信號(hào)隔離、5階低通濾波等措施，盡可能地減少信號(hào)傳輸過(guò)程的噪音。通過(guò)對(duì)超級(jí)電容組件充放電測(cè)試，表明本系統(tǒng)具有抗干擾能力強(qiáng)、檢測(cè)精度高等優(yōu)點(diǎn)，能很好的滿(mǎn)足車(chē)載超級(jí)電容高電壓大電流環(huán)境下的測(cè)試要求。